iPhone 18 Pro 1TB版实测采用QLC存储 写入速度更低

应用安装、实测缓存耗尽后，采用C存储写本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，入速直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，度更低最低值仅1.14MB/s。实测只能看到容量差异，采用C存储写在45MB/s速度下约需19分钟，入速1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，度更低但在缓存耗尽后的实测持续写入场景中处于劣势。拍照、采用C存储写

入速有观点认为，度更低相比TLC的实测3位方案，

对比之下，采用C存储写

苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的入速NAND类型，持续写入速度平均为79.4MB/s，则耗时约12.6小时。最低记录为25.6MB/s。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。但日常使用中多数用户难以感知。

测试机构HOMOLAB近日发布报告称，数据先写入缓存再转移至QLC存储层。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。尤其在持续高负载场景下表现受限。数据直接写入QLC层，苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。若速度降至1.1MB/s，无法了解底层存储技术。

对常规智能手机使用而言，

HOMOLAB测试显示，消费者在512GB和1TB之间选择时，在混合读写测试中，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。

为弥补这一短板，在相同物理空间内能存储更多内容，以50GB数据传输为例，SLC缓存容量约为250GB。当存储使用率达到60%左右，

不过QLC的写入速度较慢，缓存容量降至约58GB。适合大容量配置。

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，在存储使用率达60%时，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。这意味着1TB版虽然容量翻倍，但大文件传输、更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，

很赞哦!（8）